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V50100PW
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 20-Dec-13
2
Document Number: 89181
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Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
?
?
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Breakdown voltage IR
= 1.0 mA T
A
= 25 °C V
BR
100 (minimum) - V
Instantaneous forward voltage per diode
IF
= 5 A
= 10 A 0.56 -
TA
= 25 °C
IF
= 20 A 0.69 -
= 25 A 0.76 0.84
VF
(1)
IF
= 5 A
0.39 -
0.48 -
V
IF
IF
= 10 A 0.50 -
TA
= 125 °C
IF
= 20 A 0.61 -
IF
IF
= 25 A 0.66 0.74
Reverse currentper diode
VR
= 70 V
TA
= 25 °C
= 125 °C 11 - mA
IR
(2)
TA
= 25 °C - 1000 μA
23 - μA
TA
VR
= 100 V
TA
= 125 °C 29 80 mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL V50100PW UNIT
Typical thermal resistance
per diode
R
per device 0.8?JC
1.5
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-3PW V50100PW-M3/4W 4.5 4W 30/tube Tube
Case Temperature (°C)
60
50
40
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Average Forwar
d Current (A)
Resistive or Inductive Load
22
0
0284
8
12
16
20
24
Average Forward Current (A)
Average Power
Lo
ss
(W)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
D = tp/T tp
T
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
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